背景:
熱退火是用于結(jié)晶硒化銻(Sb2Se3)薄膜的最常見后沉積技術(shù)。然而,由于處理速度慢且能源成本高,它與未來光伏電池中Sb2Se3的升級和商業(yè)化不相容。在此,首次采用一種使用毫秒光脈沖向樣品輸送能量的快速退火技術(shù)來固化熱蒸發(fā)的Sb2Se3薄膜。這項研究通過評估薄膜的結(jié)晶、形態(tài)和光學(xué)特性,展示了光子固化(PC)條件如何影響Sb2Se3從非晶態(tài)到結(jié)晶態(tài)的相變結(jié)果。我們表明,Sb2Se3在各種不同條件下都很容易轉(zhuǎn)化,但獲得適合光電應(yīng)用的薄膜的區(qū)域是參數(shù)空間的一小部分。使用短脈沖(<3毫秒)對Sb2Se3進行退火會對樣品造成嚴(yán)重損壞,而使用較長脈沖(>5毫秒)和4-5Jcm-2輻射能可產(chǎn)生(211)-和(221)-取向的晶體Sb2Se3,對樣品的損壞極小甚至沒有損壞。演示了一種概念驗證光子固化Sb2Se3光伏器件。PC是一種有前途的退火方法,可用于大面積、高通量退火Sb2Se3,在Sb2Se3光伏中有多種潛在應(yīng)用。
文獻介紹:
硒化銻(Sb2Se3)已成為薄膜太陽能電池應(yīng)用和水分解裝置的有力候選材料,其目前光伏電池的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)為10.57%。目前,幾乎所有具有高PCE的Sb2Se3太陽能電池都是通過高溫(>300°C)下的物理氣相沉積制備的,以獲得具有(211)-和(221)-取向的薄膜(空間群Pnma (62))的結(jié)晶Sb2Se3,有利于載流子傳輸。沉積后退火技術(shù)通常用于改善吸收劑質(zhì)量(即提高結(jié)晶度、調(diào)整納米帶取向、降低非輻射復(fù)合損失和降低體陷阱密度),這需要30到120分鐘。因此,通過消除速率限制平衡熱退火步驟對于降低器件制造成本至關(guān)重要。此外,由于不同層之間的熱膨脹系數(shù)不匹配,高溫退火會導(dǎo)致柔性基板發(fā)生機械故障。因此,熱處理在穩(wěn)定性、成本、大批量商業(yè)生產(chǎn)和卷對卷制造此類器件方面都是不可取的。這就需要開發(fā)低溫、高通量工藝,而不會損害Sb2Se3的質(zhì)量,因為Sb2Se3的質(zhì)量會直接影響器件的性能。
最近,由于激光退火12處理速度快、能耗低,人們開始研究用它代替Sb2Se3太陽能電池制造中的熱退火(TA)。然而,激光退火樣品是通過在樣品上對激光進行光柵掃描獲得的,這會沿著激光點的移動誘導(dǎo)晶體生長。因此,結(jié)晶區(qū)域具有相關(guān)的方向性,處理速度受樣品表面積的限制。最近,多個研究小組報告了使用光子固化(PC)對鈣鈦礦、CuInSe2吸收材料和金屬氧化物傳輸層(如SnO2、TiO2、和NiO)進行退火。PC能夠使用寬帶(200-1500nm)氙氣閃光燈發(fā)出的強光脈沖快速處理薄膜(10μs至100ms)。改變燈泡兩端的電壓并改變閃光脈沖的持續(xù)時間可控制輻射的能量。因此,在優(yōu)化這些參數(shù)時,有可能在最短的時間內(nèi)獲得完成所需退火所需的能量。Sb2Se3薄膜很容易吸收發(fā)射的光,導(dǎo)致局部加熱和隨后的結(jié)晶。Sb2Se3薄膜和透明基板之間的吸光度差異,加上非常短的能量傳遞時間,導(dǎo)致非平衡加熱。因此,它會在材料堆棧上產(chǎn)生熱梯度,從而允許在明顯更高的溫度下選擇性地加熱Sb2Se3,從而能夠在不加熱基板的情況下處理Sb2Se3薄膜。因此,它消除了對底層的損壞,并最大限度地提高了設(shè)備堆棧的剩余熱預(yù)算。
到目前為止,PC尚未用于任何銻硫族化物材料的結(jié)晶,這是第一份關(guān)于硒化銻的報告。這項工作探討了改變PC參數(shù)窗口以獲得結(jié)晶Sb2Se3薄膜的影響,其速度比熱退火薄膜快數(shù)百萬倍(毫秒與分鐘相比),并且具有更高的能量效率。報告了所得Sb2Se3薄膜的結(jié)構(gòu)和光電特性,并根據(jù)傳遞到樣品的能量和模擬的薄膜溫度曲線對其進行了理解。這項工作展示了Sb2Se3太陽能電池制造的新機遇,并且通過消除速率限制退火步驟并使設(shè)想連續(xù)的卷對卷工藝成為可能,對其他技術(shù)具有很大的適用性。還展示概念驗證光子固化Sb2Se3光伏裝置。
這項研究首次展示了PC參數(shù)對光電應(yīng)用熱蒸發(fā)沉積的Sb2Se3薄膜結(jié)晶的影響。研究發(fā)現(xiàn),Sb2Se3的薄膜質(zhì)量和拓撲結(jié)構(gòu)高度依賴于PC條件。研究發(fā)現(xiàn),Sb2Se3的轉(zhuǎn)換范圍很窄,并且強烈依賴于脈沖長度和輻射能量。脈沖長度>5毫秒歸因于更溫和的溫度曲線,并產(chǎn)生具有更致密形態(tài)和更少表面損傷的薄膜。此外,長脈沖長度顯著影響了沿(211)-和(221)-平面的TiO2底層的優(yōu)選生長。至關(guān)重要的是,這些是光電器件中有效電荷傳輸所需的近乎垂直的取向,并且與大晶粒尺寸、由于快速加熱過程而保持化學(xué)計量的能力以及很少的薄膜損傷相結(jié)合。光固化薄膜具有良好的光學(xué)特性,再加上簡單、低成本、易于擴展的退火技術(shù),可以生產(chǎn)出結(jié)晶薄膜,這對于包括太陽能電池在內(nèi)的光電應(yīng)用非常有用。這已通過概念驗證光伏設(shè)備得到證明。這種新方法使銻硫?qū)倩锉∧さ慕Y(jié)晶速度比熱退火薄膜快數(shù)百萬倍,并且具有更高的能源效率,因此具有巨大的潛力,值得進一步研究。
引用:https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.4c00540
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